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Produktkatalog

HBM3e ECC

HBM3e ECC bezeichnet einen Typ von Arbeitsspeicher, der hohe Leistung mit Fehlerkorrekturtechnologie kombiniert. Die Abkürzung HBM3e steht für „High Bandwidth Memory 3 Extended“, eine Speicherversion, die für maximale Datenbandbreite ausgelegt ist. Das bedeutet, dass sie sehr schnell große Datenmengen zwischen Speicher und Prozessor verschieben kann, was beispielsweise beim Training von Modellen künstlicher Intelligenz entscheidend ist. Der zweite Teil des Namens, ECC, ist die Abkürzung für „Error-Correcting Code“. Dabei handelt es sich um einen Mechanismus, der die im Speicher abgelegten Daten kontinuierlich überprüft und kleine Fehler, zum Beispiel wenn ein Bit unbeabsichtigt geändert wird, selbstständig erkennen und korrigieren kann. Durch die Kombination dieser beiden Technologien entsteht ein Speicher, der nicht nur sehr schnell, sondern auch zuverlässig ist, da er die Datenintegrität bei anspruchsvollen und langwierigen Berechnungen in KI-Beschleunigern und Arbeitsstationen schützt. Um den Unterschied zu herkömmlichem Gaming-Grafikspeicher zu verstehen, ist ein Vergleich mit GDDR-Speicher (Graphics Double Data Rate), etwa GDDR6 oder GDDR7, hilfreich. GDDR besteht aus einzelnen Chips, die auf der Platine rund um den Grafikkern angeordnet sind, und setzt auf sehr hohe Taktfrequenzen bei einer relativ schmalen Busbreite (typischerweise 32 Bit pro Chip). Speicher der HBM-Familie gehen den umgekehrten Weg. Sie arbeiten mit niedrigeren Taktraten, übertragen aber dank vertikal gestapelter Chips und eines extrem breiten Busses (1024 Bit oder mehr pro Stack) mehr Daten gleichzeitig. Das Ergebnis ist bei HBM eine deutlich höhere Gesamtdatenbandbreite und ein besseres Leistungs-pro-Watt-Verhältnis, was für Rechenzentren und das KI-Training entscheidend ist. GDDR ist dagegen günstiger, einfacher zu fertigen und in der Kapazität leichter zu skalieren, weshalb es bei Gaming- und Consumer-Grafikkarten überwiegt.

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